发明名称 薄膜晶体管制造方法及基板结构
摘要 本发明公开了一种薄膜晶体管制造方法及基板结构,其中基板结构具有一基材及一自我对位光罩。该制造方法是通过将自我对位光罩制作在基材上,使其具有与基材同步热胀冷缩的特性,当提供一曝光源在基材非用以形成薄膜晶体管的一侧时,自我对位光罩可克服塑料基板非等距膨胀收缩而产生的偏位问题,且具有高准度的对位效果,因此可以准确的定义出薄膜晶体管源极及漏极位置。
申请公布号 CN100594592C 申请公布日期 2010.03.17
申请号 CN200510117613.4 申请日期 2005.11.02
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 黄良莹;王怡凯;胡堂祥;何家充
分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I 主分类号 H01L21/336(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 梁 挥;祁建国
主权项 1.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,包括下列步骤:提供一基材,该基材具有一第一板面及一第二板面,该第一板面上用以形成一薄膜晶体管,其具有一源极、一漏极及一栅极;形成一非透明薄膜在该第二板面上;将该非透明薄膜制作成一光罩;制作该栅极在该第一板面上;制作一透明绝缘层在该栅极及该第一板面上;制作一透明电极层在该透明绝缘层上;制作一光阻在该透明电极层上;提供一曝光源在该第二板面侧,又通过该光罩的作用,以定义出该源极及该漏极位置,又将该透明电极层制作出该源极及该漏极;以及制作一半导体层,其设置且电性连接在该源极及该漏极之间。
地址 中国台湾新竹县