发明名称 用于向基片施加均匀薄液层的设备和方法
摘要 本发明涉及一种用于向光电应用的硅电池(12)施加均匀的、尤其是磷酸层的薄液层的设备(10),其配置有:处理腔(14);液体盘(16);以及将液体转化成液雾(15)的高频超声设备(11);以及用于硅电池(12)的传送设备(13),其设置在处理腔(14)的液雾落降通道(25)的下方。根据本发明可以实现这种允许关于施加的表面和用量将液体以更均匀的方式施加到相关硅电池的设备(10),因此,所述处理腔(14)的所述液雾落降通道(25)的内截面朝着所述传送设备(13)的方向渐缩并排放到覆盖在所述传送设备(13)上的所述基片(12)的通道装置(40)中,并且所述液雾落降通道(25)的孔端的内截面和所述通道装置(40)的内截面相配并优选为基本相同。
申请公布号 CN100594583C 申请公布日期 2010.03.17
申请号 CN200680013599.6 申请日期 2006.03.28
申请人 施密德技术系统有限公司 发明人 克里斯蒂安·布赫纳;约翰·布鲁纳;赫尔穆特·卡尔姆巴赫;约瑟夫·真蒂舍尔
分类号 H01L21/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 张 文;段 斌
主权项 1.一种用于向基片(12)上施加均匀薄液层的设备(10),其具有:处理腔(14),所述处理腔(14)配置有液体盘(16)和把液体转变成液雾(15)的高频超声设备(11);以及用于所述基片(12)的传送设备(13),所述传送设备(13)设置在所述处理腔(14)的液雾落降通道(25)下面;其特征在于,所述处理腔(14)的所述液雾落降通道(25)的内截面朝着所述传送设备(13)的方向渐缩并排放到覆盖在所述传送设备(13)上的用于所述基片(12)的通道装置(40)中,并且所述液雾落降通道(25)的孔端的内截面和所述通道装置(40)的内截面相配,并且,在所述处理腔(14)内的所述高频超声设备(11)和所述液体盘(16)的上方配置有具有网(30)的撞击元件(28)。
地址 德国尼德雷沙赫