双极型晶体管器件中接触孔或通孔电阻的测量模型和方法

摘要

本发明提出一种双极型晶体管器件中接触孔或通孔电阻的测量模型和方法，用于测量晶体管器件后端工艺中的接触孔和通孔的电阻值，测量模型由多个电阻器件组成。测量接触孔的电阻值需要设计一组不同长度和宽度的多晶硅电阻或扩散电阻，测量通孔的电阻值需要设计一组不同长度和宽度的金属电阻。多晶硅电阻由多晶硅层、接触孔和金属引出组成；扩散电阻由N型或P型扩散层、接触孔和金属引出组成。接触孔位于多晶硅层或扩散层和金属层之间，用于多晶硅电阻或扩散电阻的引出。金属电阻由某层金属，通孔和金属引出组成，通孔位于两层金属之间，用于下层金属电阻的引出。在每个电阻的两个电阻引出端加电压，测量通过这些电阻的电流。

主权项

1.一种测量模型，该测量模型运用于测量双极型晶体管器件中的接触孔电阻值，其特征是，该测量模型包括：多个电阻器件，每个该电阻器件包括：多晶硅层或扩散层；接触孔，在该多晶硅层和该金属层之间，位于该多晶硅层或扩散层的两端和金属引出一起用于电阻的引出；金属引出，用于电阻测量时外加偏值电压，其中每组该电阻器件中的该多晶硅层具有不同的长度和宽度。