| 发明名称 | 硅晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供硅晶片及其制造方法，其中在器件制造过程中滑移位错和翘曲的产生均被抑制。本发明的硅晶片包含八面体BMD，在存在于距硅晶片表面不小于50μm的深度的BMD中，对角线尺寸为10nm至50nm的BMD的密度不小于1×10<sup>12</sup>/cm<sup>3</sup>，BSF的密度不大于1×10<sup>8</sup>/cm<sup>3</sup>。本发明硅晶片的间隙氧浓度为不小于4×10<sup>17</sup>个原子/cm<sup>3</sup>至不大于6×10<sup>17</sup>个原子/cm<sup>3</sup>，而对角线尺寸不小于200nm的BMD的密度为不大于1×10<sup>7</sup>个原子/cm<sup>3</sup>。 | ||
| 申请公布号 | CN101675507A | 申请公布日期 | 2010.03.17 |
| 申请号 | CN200880014413.8 | 申请日期 | 2008.05.01 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 中居克彦;福田真行 |
| 分类号 | H01L21/322(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/322(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 1、硅晶片，其中BMD为八面体，其特征在于，在存在于距该硅晶片表面不小于50μm的深度的BMD中，对角线尺寸为10nm至50nm的BMD的密度不小于1×1012/cm3，而尺寸不小于1μm的BSF的密度不大于1×108/cm3。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||