发明名称 |
电子束设备 |
摘要 |
本发明目的在于提高包括层叠型电子发射装置的电子束设备中的电子发射效率。为了实现上述目的,提供了:绝缘组件,在其表面上具有凹部;阴极,其布置为跨该绝缘组件的侧表面和该凹部的内表面;栅极,其布置得与该阴极相对;和突出部分,其形成在该栅极上。在该构造中,布置在凹部内部的阴极的低电位表面从入口朝着凹部的内部向栅极侧倾斜。 |
申请公布号 |
CN101673646A |
申请公布日期 |
2010.03.17 |
申请号 |
CN200910170501.3 |
申请日期 |
2009.09.04 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
高田裕子;伊庭润 |
分类号 |
H01J1/00(2006.01)I;H01J1/316(2006.01)I |
主分类号 |
H01J1/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
刘 倜 |
主权项 |
1.一种电子束设备,包括:绝缘组件,在其表面上具有凹部;阴极,其布置为跨该绝缘组件的外表面和该凹部的内表面;栅极,其布置得与该绝缘组件的外表面上的阴极相对;和阳极,其布置得与阴极相对,使得该栅极布置在该阳极和该阴极之间,其中在布置在该凹部的内表面上的阴极的部分的表面与如下的虚平面之间的角度θ满足表达式(1),该虚平面的法线是阴极和栅极相互相对的凹部的区域中连接阴极和栅极的各自的开口侧端部的线,θ≥15×(h2/d)0.5+(230×Vf-0.6-35) ...(1)(0°<θ<9θ°)其中d:在阴极和栅极相互相对的凹部的区域中阴极和栅极之间的最短距离[nm],h2:在与所述最短距离平行的方向上栅极的侧组件的高度[nm],以及Vf:驱动电压[V]。 |
地址 |
日本东京 |