| 发明名称 | 通孔刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种通孔刻蚀方法，在通孔刻蚀中，采用小分子量气体稀释刻蚀气体的浓度。由于小分子量气体在其稀释刻蚀气体的同时，在刻蚀过程中产生的轰击力不足以对通道侧壁造成损伤，因此，刻蚀后得到的通孔光滑、轮廓均匀，在通孔中填充导电材料后，填充密实，减小了通孔中填充导电材料的阻值，保证了通孔具有良好的导电特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101673681A | 申请公布日期 | 2010.03.17 |
| 申请号 | CN200810222118.3 | 申请日期 | 2008.09.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 韩秋华;杜珊珊;韩宝东 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王 琦;王诚华 |
| 主权项 | 1.一种通孔刻蚀方法，形成通孔刻蚀结构，其特征在于，利用包含有小分子量的稀释气体的刻蚀气体对通孔结构进行刻蚀。 | ||
| 地址 | 100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||