一种用于直拉硅单晶制备中的含氮掺杂剂的制备方法

摘要

一种用于直拉硅单晶制备中的含氮掺杂剂的制备方法，它包括以下步骤：(1)在坩埚中装入多晶硅料和高纯的氮化硅颗粒，加热到1450℃使多晶熔化，然后持熔体在1450℃～1470℃的熔融状态，并保持10～12的埚转；(2)多晶硅料和高纯氮化硅颗粒的质量比：6000/1-5500/1；(3)浮于熔体表面的氮化硅颗粒全部熔解后，保温1到2小时；(4)将坩埚上升到埚位100mm-400mm，并将氩气的流量开到100slpm-400slpm，使熔体快速冷却；(5)将冷却得到的含氮掺杂剂用碳化硅锤破碎成小块，混合均匀；(6)然后用化学纯的氢氟酸浸泡以去除合金上的二氧化硅，浸泡后的掺杂剂用纯水冲洗，放进烘箱烘干后备用。本方法简便，采用此种含氮掺杂剂向晶体中掺入氮元素不需要额外的装置和工序，容易控制晶体中的掺杂量，达到预期的掺杂要求。

主权项

1、一种用于直拉硅单晶制备中的含氮掺杂剂的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)在坩埚中装入多晶硅料和高纯的氮化硅颗粒，加热到1450℃使多晶熔化，然后保持熔体在1450℃～1470℃的熔融状态，并保持10～12的埚转；(2)多晶硅料和高纯氮化硅颗粒的质量比：6000/1-5500/1；(3)浮于熔体表面的氮化硅颗粒全部熔解后，保温1到2小时；(4)将坩埚上升到埚位100mm-400mm，并将氩气的流量开到100slpm-400slpm，使熔体快速冷却；(5)将冷却得到的含氮掺杂剂用碳化硅锤破碎成小块，混合均匀；(6)、然后用化学纯的氢氟酸浸泡以去除合金上的二氧化硅，浸泡后的掺杂剂用纯水冲洗，最后放进烘箱烘干后备用。