| 发明名称 | 退火生长Na-N共掺p型ZnO晶体薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的退火生长Na-N共掺p型ZnO薄膜的方法，先以Na<sub>2</sub>O-ZnO陶瓷靶为靶材，靶材中钠的摩尔含量为0.5％，以纯N<sub>2</sub>O和纯Ar为溅射气氛，采用射频反应磁控溅射法，在1Pa～5Pa压强下生长，生长结束后，将薄膜在N<sub>2</sub>O气氛下退火。本发明可以实现受主Na-N的实时掺杂，与施主-受主元素共掺相比，Na-N双受主元素共掺更容易形成受主或受主复合体，后续的在N<sub>2</sub>O保护下退火能有效地改善薄膜的电学性质和晶体质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101671842A | 申请公布日期 | 2010.03.17 |
| 申请号 | CN200910153698.X | 申请日期 | 2009.10.26 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 叶志镇;林兰;龚丽;吕建国;赵炳辉 |
| 分类号 | C30B25/06(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.退火生长Na-N共掺p型ZnO晶体薄膜的方法，其特征是：将衬底清洗后放入射频反应磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽到至少2.5×10-3Pa，以Na2O-ZnO陶瓷靶为靶材，靶材中钠的摩尔含量为0.5％，以纯N2O和纯Ar为溅射气氛，将两种气体分别由质量流量计控制输入真空反应室，N2O和Ar的分压比为60∶40～80∶20，衬底温度为450～550℃，溅射功率为300W，在1Pa～5Pa压强下生长，生长结束后，将薄膜在N2O气氛下退火，其中退火压强为10Pa，退火时间为20～60min，退火温度为400～500℃。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市浙大路38号 | ||