| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在具有载流子屏蔽层的垂直型半导体装置中进一步降低通态电阻(或者通态电压)的技术。半导体装置(10)的半导体衬底(20)具有沟道区(10A)和非沟道区(10B)。在沟道区(10A)中设置有发射区(26)，其与沟槽栅(30)的侧面接触并与发射极(28)形成电连接。在非沟道区(10B)的体区(25)中没有设置发射区(26)。在俯视时，配置在非沟道区(10B)中的载流子屏蔽层(52)在非沟道区(10B)所占的占有面积比，要高于配置在沟道区(10A)中的载流子屏蔽层(52)在沟道区(10A)所占的占有面积比。 | ||
| 申请公布号 | CN101675525A | 申请公布日期 | 2010.03.17 |
| 申请号 | CN200880014873.0 | 申请日期 | 2008.11.11 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 西田秀一;大西丰和;庄司智幸 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄 威;孙丽梅 |
| 主权项 | 1、一种垂直型半导体装置，该装置具备：半导体衬底，所述半导体衬底具有：第一导电型的第一半导体区；第二导电型的第二半导体区，其设置在该第一半导体区上；第一导电型的表面半导体区，其被选择性地设置在该第二半导体区上并与表面电极形成电连接；多个沟槽栅，其贯穿所述第二半导体区；载流子屏蔽层，其被设置在所述第一半导体区内，所述半导体衬底具有沟道区和非沟道区，所述沟道区是夹在沟槽栅与沟槽栅之间的区域，所述表面半导体区以与沟槽栅的侧面接触的方式配置在所述沟道区中，所述非沟道区是夹在沟槽栅与沟槽栅之间的区域，在所述非沟道区中没有配置所述表面半导体区，在俯视时，配置在非沟道区中的载流子屏蔽层在非沟道区所占的占有面积比，高于配置在沟道区中的载流子屏蔽层在沟道区所占的占有面积比。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||