| 发明名称 | LDMOS晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LDMOS晶体管，包括在栅极靠近漏极的一侧下硅区域到漏极重掺杂区之间有高压浅掺杂区，高压浅掺杂区内嵌有被氧化硅包围的多晶硅结构。本发明的高压浅掺杂区上设置的浮置的多晶硅，使LDMOS器件工作时的位降线弯曲，在不增加器件尺寸同时提高器件的耐压。本发明还公开了上述LDMOS晶体管的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101673763A | 申请公布日期 | 2010.03.17 |
| 申请号 | CN200810043767.7 | 申请日期 | 2008.09.09 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈俭 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种LDMOS晶体管，所述LDMOS晶体管包括位于栅极靠近漏极的一侧侧墙下的硅区域到漏极重掺杂区之间的高压浅掺杂区，其特征在于：所述高压浅掺杂区内嵌有被氧化硅包围的多晶硅结构。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||