发光器件

摘要

一种实现高孔径比的发光器件，其中图像的质量几乎不受TFT特性变化的影响。在像素部分中不提供大保持电容Cs，而是将驱动TFT的沟道长度和沟道宽度增加，并将沟道电容用作Cs。选择沟道长度显著大于沟道宽度，以改善饱和区的电流特性，并且将高VGS作用于驱动TFT以获得期望的漏极电流。因此，驱动TFT的漏极电流几乎不受阈值电压变化的影响。此外，设计像素时，导线被安排在隔离壁下面，TFT安排在导线下面，从而尽管增加驱动TFT的尺寸也可以避免减小孔径比。在3晶体管像素的情况下，开关TFT和擦除TFT线性排列，以进一步增加孔径比。

主权项

1.一种发光器件，包括：多条源极信号线；多条电流源线；多个像素，包括：多个发光元件，所述多个发光元件的每一个包括一个发光区；和多个驱动晶体管，该多个驱动晶体管分别对应于多个发光元件；其中所述源极信号线、电流源线和驱动晶体管被安排在与隔离壁重叠的位置，该隔离壁在隔离像素的相邻发光区的位置处形成，其中每一个驱动晶体管被安排在每一个驱动晶体管的半导体层与每一个源极信号线的一部分和每一个电流源线的一部分中的至少其中之一重叠的位置处，和其中在驱动晶体管的每一个的半导体层中的整个沟道形成区被形成在隔离像素的相邻发光区的位置处的隔离壁覆盖。