在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法

摘要

一种在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在制备好的GaAs基片上进行涂胶、均胶、前烘、光刻、显影；步骤2：将显影后的GaAs基片置入氧离子轰击炉中，对基片轰击；步骤3：将轰击后的基片浸入semico-clean-23溶液，时间2分钟；步骤4：用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干；步骤5：再将基片浸入1∶1的盐酸溶液中5秒后，用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干；步骤6：将基片放入金属蒸发炉内，并立即对蒸发炉系统开始抽真空，在基片上淀积金属；步骤7：将基片从金属蒸发炉中取出，用丙酮进行剥离，经乙醇、去离子水清洗后，用温氮气吹干；步骤8：将淀积完金属的基片退火，完成制作。

主权项

1.一种在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在制备好的GaAs基片上进行涂胶、均胶、前烘、光刻、显影；步骤2：将显影后的GaAs基片置入氧离子轰击炉中，对基片轰击；步骤3：将轰击后的基片浸入semico-clean-23溶液，时间2分钟；步骤4：用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干；步骤5：再将基片浸入1∶1的盐酸溶液中5秒后，用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干；步骤6：将基片放入金属蒸发炉内，并立即对蒸发炉系统开始抽真空，在基片上淀积金属；步骤7：将基片从金属蒸发炉中取出，用丙酮进行剥离，经乙醇、去离子水清洗后，用温氮气吹干；步骤8：将淀积完金属的基片退火，完成制作。