半导体元件及制造方法

摘要

一种具有低电阻导电通路的半导体元件和一种用于制造该半导体元件的方法。当该半导体元件是肖特基二极管时，在具有第一导电类型的半导体衬底上形成的具有第一导电类型的外延层内形成一个或多个沟槽。该沟槽可延伸进半导体材料。具有第二导电类型的外延半导体材料沿沟槽的侧壁选择性生长。形成与外延层和选择性生长的外延材料连接的阳极接触以及形成与半导体衬底连接的阴极接触。

主权项

1.一种半导体元件，包括：具有第一和第二主表面的第一导电类型的第一半导体材料；从所述第一主表面延伸入所述半导体材料的至少一个沟槽，所述至少一个沟槽具有侧壁和底部；与所述至少一个沟槽的所述侧壁和所述底部相邻的第二半导体材料，其中所述第二半导体材料的第一部分沿第一方向平衡电荷，并且所述第二半导体材料的第二部分沿第二方向平衡电荷；以及与所述第一半导体材料和所述第二半导体材料相接触的导电性材料。