发明名称 |
场效应晶体管 |
摘要 |
优化支撑性基板的机械特性与有机场效应晶体管的绝缘体层,由此在有机场效应晶体管中获得高迁移率,高导通电流和低漏电流,以及高电流开/关比。场效应晶体管包括提供于支撑性基板(1)上的绝缘体层(3),被绝缘体层(3)隔开的栅电极(2)和有机半导体层(4),如此布置使之与有机半导体层(4)接触的源电极(5)和漏电极(6),其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1(%)大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(%)。所提供的良好柔韧性,可以限制为减小漏电流而施加的应力可能导致的裂缝,进而获得高迁移率,高导通电流和低漏电流,以及高电流开/关比。 |
申请公布号 |
CN100594617C |
申请公布日期 |
2010.03.17 |
申请号 |
CN03817832.X |
申请日期 |
2003.07.31 |
申请人 |
三菱化学株式会社 |
发明人 |
小桥昌浩;半田敬信;荒牧晋司;酒井良正 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
张平元;赵仁临 |
主权项 |
1.一种场效应晶体管,包括绝缘体层,被绝缘体层隔开的栅电极和有机半导体层,如此布置使之与有机半导体层接触的源电极和漏电极,及包含聚对苯二甲酸乙二酯的支撑性基板,其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2,且在绝缘体层屈服点的伸长率ε1与在支撑性基板屈服点的伸长率ε2的比值ε1/ε2满足1<ε1/ε2≤5,其中ε1和ε2的单位为%。 |
地址 |
日本东京都 |