不同工艺-电压-温度变化下稳定的静态随机存取存储器

摘要

一种采用有效电压结构的SRAM，其在工艺-电压-温度(PVT)改变时仍能稳定。该SRAM为SRAM单元提供的有效电源电压是通过将电源电压降低一晶体管的阈值电压而得到的，且有效地电压是通过将地电压提升一晶体管的阈值电压而得到的。由于使用二极管型的PMOS和NMOS晶体管连接在电源电压与有效电源电压之间，且使用二极管型的NMOS和PMOS晶体管连接在地电压与有效地电压之间，就提供了即使在不同PVT变化下仍稳定的有效电源电压电平和有效地电压电平，因此具有稳定的低漏电流特性。

主权项

1.一种静态随机存取存储器SRAM，包括：多个SRAM单元，其与一字线、一位线、一反位线、一有效电源电压、以及一有效地电压连接；一第一偏置器件，当SRAM单元工作于低漏电流模式时，将电源电压降低第一电压值后所得电压电平供给有效电源电压，且当SRAM单元工作于有源模式时，以电源电压供给有效电源电压；以及一第二偏置器件，当SRAM单元工作于低漏电流模式时，将地电压提升第二电压值后所得电压电平供给有效地电压，且当SRAM单元工作于有源模式时，以地电压供给有效地电压。