| 发明名称 | 气相生长装置用基座 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基座(10)，设有用来在气相生长时收容晶片(W)的晶片凹部(101)。晶片凹部(101)至少具有晶片的外周部(W1)放置于其上的第1凹部(102)和在第1凹部之下形成的并具有小于第1凹部的直径的第2凹部(103)。基座(10)还设有流体通路(105)，该流体通路的一端(105a)开口在第2凹部的纵壁面(103a)上，而且另一端(105b)开口在基座的背面(104)或侧面(106)上。 | ||
| 申请公布号 | CN100594261C | 申请公布日期 | 2010.03.17 |
| 申请号 | CN200580023240.2 | 申请日期 | 2005.05.17 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 藤川孝;石桥昌幸;土肥敬幸;杉本诚司 |
| 分类号 | C23C16/458(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/68(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/458(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 崔幼平 |
| 主权项 | 1.一种气相生长装置用基座，形成有用来在气相生长之际收容半导体晶片的晶片凹部，其特征在于，前述晶片凹部至少具有放置前述半导体晶片的外周缘部的第1凹部，与比该第1凹部直径小且在下侧所形成的第2凹部，且形成有一端开口于前述第2凹部的纵壁面上、并且另一端开口于基座的背面上的流体通路，在前述第2凹部的底面外周上形成有凹部，前述第2凹部的底面以位于前述流体通路的前述一端上侧的方式形成得浅。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||