| 摘要 |
<p>Capteur d'images (100) comportant au moins: - des photodiodes (112) et des transistors (114) CMOS réalisés dans une couche (110) de semi-conducteur ; - une couche (116) diélectrique dans laquelle sont réalisées des couches d'interconnexions électriques (122a, 122b) reliées électriquement entre elles et/ou aux photodiodes et/ou aux transistors CMOS, ladite couche diélectrique étant disposée contre une première face de la couche de semi-conducteur opposée à une seconde face de la couche de semi-conducteur par laquelle la lumière reçue par le capteur depuis l'extérieur est destinée à entrer ; - des moyens de réflexion lumineuse (122b) disposés dans la couche diélectrique, en regard des photodiodes, et aptes à refléter au moins une partie de la lumière reçue par le capteur vers les photodiodes.</p> |
