| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
根据本发明的观点，半导体装置包含：N通道MIS电晶体，包含：p型半导体层；第一闸极绝缘层，形成在p型半导体层上；第一闸电极，形成在第一闸极绝缘层上；及第一源极汲极区，形成在沿着闸极长度的方向夹置第一闸电极之该p型半导体层。第一闸电极包含包括具有晶格常数5.39埃到5.40埃之NiSi2的立方晶体之晶相。 |
| 申请公布号 |
TWI321832 |
申请公布日期 |
2010.03.11 |
| 申请号 |
TW095144231 |
申请日期 |
2006.11.29 |
| 申请人 |
东芝股份有限公司 |
发明人 |
土屋义规;小山正人;吉木昌彦 |
| 分类号 |
H01L21/8238;H01L21/00;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包含：一N通道MIS电晶体，包含：一p型半导体层；一第一闸极绝缘层，形成在该p型半导体层上；一第一闸电极，形成在该第一闸极绝缘层上，该第一闸电极包含包括具有晶格常数5.39埃到5.40埃之NiSi2的立方晶体之晶相；及一第一源极汲极区，形成在沿着闸极长度的方向夹置该第一闸电极之该p型半导体层。 |
| 地址 |
日本 |
