发明名称 发光二极体元件
摘要 本创作之发光二极体元件系在一金属基板之板面建构有一电路层,以及至少一光学区域,各光学区域之底部至少深及金属基板板面,另于预定之光学区域底部设有至少一光学凸部,各发光二极体即设于光学区域底部相对于光学区域之壁面与光学凸部之间,并与电路层电性连接,以及在各发光二极体外填覆有封装层。俾利用金属基板加速发光二极体之废热排放,以及在光学凸部与光学区域之壁面作用下,有效改善发光二极体之光线照射效果。
申请公布号 TWM375984 申请公布日期 2010.03.11
申请号 TW098218481 申请日期 2009.10.08
申请人 普照光电科技股份有限公司 发明人 陈元杰;蔡濬名
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极体元件,系包括有:一金属基板;一电路层,建构在该金属基板之板面;至少一光学区域,自该电路层朝向该金属基板凹陷,其底部至少深及该金属基板板面;至少一光学凸部,设于预定之光学区域;至少一发光二极体,设于该光学区域底部相对于光学区域之壁面与该光学凸部之间,并与该电路层电性连接;至少一封装层,相对填覆在各发光二极体外。
地址 台北县深坑乡北深路3段155巷1号10楼