| 发明名称 |
溅镀靶与使用其制造矽氧化膜之方法 |
| 摘要 |
矽溅镀靶系，于以X射线绕射法测定溅镀面的晶面取向之际，矽之(111)面的尖峰强度[I(111)]与(220)面之尖峰强度[I(220)]的比率[I(111)/I(220)]为1.8±0.3之范围者；矽溅镀靶，具备例如相对密度为70%以上95%以下之范围的矽烧结材料；依如此之矽溅镀靶，能改善矽氧化膜等溅镀膜的膜厚特性及成膜成本等。 |
| 申请公布号 |
TWI321596 |
申请公布日期 |
2010.03.11 |
| 申请号 |
TW095132445 |
申请日期 |
2004.09.24 |
| 申请人 |
东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本;东芝高新材料公司 TOSHIBA MATERIALS CO., LTD. 日本 |
发明人 |
渡边光一;铃木幸伸;石上隆 |
| 分类号 |
C23C14/35;C23C14/08 |
主分类号 |
C23C14/35 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种溅镀靶，其系实质上由Si及1质量%以下的杂质元素所成之使用于矽氧化膜的形成的溅镀靶者；其特征为具备相对密度在70%以上95%以下之范围，而且上述相对密度的偏差在10%以内的Si烧结材料。 |
| 地址 |
日本;日本 |
