发明名称 天线比决定方法
摘要 一种决定电路中内连线之天线比之方法。上述内连线可绕穿至少一连接层且与至少一闸极氧化区耦接。每一连接层上所有构成元件之累积天线比,系考量与上述相关闸极氧化区耦接之既定连接层上每一构成元件,以及耦接于目前连接层之构成元件与上述闸极氧化区之间至少一连接层上之任何构成元件所导致之天线效应来决定。以同样的方式,上述内连线之最顶层累积天线比系根据最顶层以下连接层之累积天线比来决定。
申请公布号 TWI321827 申请公布日期 2010.03.11
申请号 TW095112062 申请日期 2006.04.04
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 王中兴;李寿益;鲁立忠
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项 一种天线比决定方法,适用于一电路中之一内连线,上述内连线绕穿至少一连接层且耦接于至少一闸极氧化区,上述天线比决定方法包括:藉由考量一天线效应以决定每一连接层上所有构成元件之一累积天线比,其中上述天线效应系根据在一既定连接层上与上述既定连接层耦接之闸极氧化区相关之每一构成元件,以及根据耦接于上述既定连接层之构成元件与上述闸极氧化区之间至少一连接层上之任何构成元件所造成;以及根据上述累积天线比计算上述内连线之一最顶层累积天线比。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号