| 发明名称 |
改良之透明导电电极 |
| 摘要 |
本创作系提供一种改良之透明导电电极，包含有一基层，系铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)透明导电薄膜；一表层，覆盖于该基层表面，系氧化锌系(ZnO-based)透明导电薄膜，其厚度系等于或小于该基层；藉此，可降低制作成本，提升制程中之耐温性及抗电浆轰击性。 |
| 申请公布号 |
TWM375708 |
申请公布日期 |
2010.03.11 |
| 申请号 |
TW098214852 |
申请日期 |
2009.08.12 |
| 申请人 |
蔡健益 高雄县大寮乡大信街382巷6号;白昆哲 台中县沙鹿镇斗潭路396号 |
发明人 |
蔡健益;白昆哲 |
| 分类号 |
C23C14/06 |
主分类号 |
C23C14/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈建成 |
| 主权项 |
一种改良之透明导电电极，包含有：一基层，系铟锡氧化物(Indium Tin Oxide)透明导电薄膜；及一表层，覆盖于该基层表面，系掺杂预定金属之氧化锌系透明导电薄膜，其厚度系等于或小于该基层。 |
| 地址 |
高雄县大寮乡大信街382巷6号;台中县沙鹿镇斗潭路396号 |
