发明名称 HEAT REMOVAL FACILITATED WITH DIAMOND-LIKE CARBON LAYER IN SOI STRUCTURES
摘要 Described are Silicon-on-Insulator devices containing a diamond-like carbon layer, methods of making the Silicon-on-Insulator devices, and methods of using the Silicon-on-Insulator devices.
申请公布号 US2010059762(A1) 申请公布日期 2010.03.11
申请号 US20080206117 申请日期 2008.09.08
申请人 SPANSION LLC 发明人 HOSSAIN TIM Z.;POSEY DANIEL E.
分类号 H01L29/15;H01L21/30 主分类号 H01L29/15
代理机构 代理人
主权项
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