| 主权项 |
一种离子植入装置，其包含：一离子来源，此系用以发射从一来源材料所产生的离子；一质量区分磁铁，此系将离子沿位在该离子来源下游处之离子行旅路径而弯折离于一投射路径；一扫描电极，此系经置放以后续于该质量区分磁铁而拦截离子，并按一控制方式逐侧地扫描离子以构成具有一宽度之离子束；以及一透镜结构，此可定义一范围，离子束会通过进入此范围内，当离子进入该透镜结构时，可将离子偏折离于位在该扫描电极下游之初始投射路径；该透镜结构包含沿一离子移动方向而相互间隔之第一及第二电极，该者系跨于该离子束宽度而延伸于一离子束路径之相对侧，以将进入该透镜结构之离子束予以偏折；该透镜结构包含一用以加速离子之电极，以及一用以减速离子之电极，以令进入该透镜结构的离子按大约相同离开投射路径而离开该透镜结构，而无论离子进入该透镜结构之投射路径为何。 |
