| 发明名称 | 栅结构上金属层的监控方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种栅结构上金属层的方法，它包括以下步骤：提供一种测试元件，所述测试元件包括N型离子注入区、P型离子注入区和横跨所述N型离子注入区和P型离子注入区的栅结构，其中栅结构表面覆盖有金属层；测试覆盖有金属层的栅结构电性参数；监控测试的栅结构电性参数是否符合标准栅结构电性参数，其中标准栅结构电性参数为覆盖的金属层完整时所测出的栅结构电性参数。本发明通过制作应用于WAT测试的栅结构测试元件，测试该种栅结构测试元件电性参数实现此种栅结构表面金属层的监控。该方法可在晶圆制作早期WAT测试阶段发现缺陷金属层，从而节约后段制程中的资源和制作成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101667550A | 申请公布日期 | 2010.03.10 |
| 申请号 | CN200810042588.1 | 申请日期 | 2008.09.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王吉星 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 屈 蘅;李时云 |
| 主权项 | 1、一种栅结构上金属层的监控方法，该监控方法包括以下步骤：提供一种测试元件，所述测试元件包括N型离子注入区、P型离子注入区和横跨所述N型离子注入区和P型离子注入区的栅结构，其中栅结构表面覆盖有金属层；测试覆盖有金属层的栅结构电性参数；监控测试的栅结构电性参数是否符合标准栅结构电性参数，其中标准栅结构电性参数为覆盖的金属层完整时所测出的栅结构电性参数。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||