| 摘要 |
Полупроводниковый светоизлучающий прибор, выполненный на основе нитридов металлов третьей группы, включающий подложку, а также сформированные в процессе эпитаксиального роста последовательно расположенные буферный слой и слои, образующие полупроводниковую гетероструктуру с p-n переходом, отличающийся тем, что буферный слой расположен непосредственно на подложке и, по меньшей мере, в зоне, примыкающей к подложке, содержит поры, сформированные в процессе эпитаксиального роста буферного слоя. |
