| 摘要 |
Биполярный транзистор, содержащий подложку, области коллектора, эмиттера и базы, отличающийся тем, что биполярный транзистор выполнен наноразмерным со ступенчатым профилем, область коллектора сформирована на подложке в виде нанослоя высотой не менее 15 нм, область базы сформирована на части нанослоя коллектора в виде нанослоя высотой не менее 3 нм, область эмиттера сформирована на участке области базы в виде нанослоя высотой не менее 8 нм. |
