一种通孔刻蚀方法

摘要

一种通孔刻蚀方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底表面具有介质层；在所述介质层表面形成牺牲层；图案化所述牺牲层并在所述牺牲层中形成开口以界定通孔位置；以所述图案化的牺牲层为掩膜，执行第一各向异性干法刻蚀制程，刻蚀所述介质层至暴露出或接近所述衬底表面，在所述介质层中刻蚀通孔；执行一各向同性干法刻蚀制程，扩大所述牺牲层中开口的尺寸；以所述开口扩大后的牺牲层为掩膜，执行第二各向异性干法刻蚀制程，并过刻蚀形成酒杯状轮廓的通孔；去除所述牺牲层。本发明的优点在于所制备的通孔底部尺寸的控制会比较精确；只用干法刻蚀方法，只有一个程式，可以在一个机台里面一次性成型，生产效率得到很大提高。

主权项

1.一种通孔刻蚀方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有介质层；在所述介质层形成牺牲层；图案化所述牺牲层并在所述牺牲层中形成开口以界定通孔位置；以所述图案化的牺牲层为掩膜，执行第一各向异性干法刻蚀制程，刻蚀所述介质层至暴露出所述衬底表面，在所述介质层中出刻蚀通孔；执行一各向同性干法刻蚀制程，扩大所述牺牲层中开口的尺寸；以所述开口扩大后的牺牲层为掩膜，执行第二各向异性干法刻蚀制程，并过刻蚀形成酒杯状轮廓的通孔；去除所述牺牲层。