| 发明名称 | 抑制背景镀覆 | ||
| 摘要 | 一种方法，包括在介电体上选择性沉积具有高透光率的相变阻挡物，以形成图案，蚀刻掉介电体上没有被该阻挡物覆盖的部分，并沉积金属晶种层到介电体的蚀刻部分上。然后通过光诱导的镀覆在金属晶种层上沉积金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN101667606A | 申请公布日期 | 2010.03.10 |
| 申请号 | CN200910173391.6 | 申请日期 | 2009.07.27 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 发明人 | R·K·巴尔;H·董;T·C·舒特 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 樊云飞 |
| 主权项 | 1、一种方法，包括：a)提供包括n掺杂正面和p掺杂背面的掺杂半导体，和覆盖该掺杂半导体的n掺杂正面的介电层；b)在介电层上选择性沉积具有30％或更高的透光率的相变阻挡物，以在介电层上形成图案；c)蚀刻掉介电层上没有被相变阻挡物覆盖的部分，从而将掺杂半导体的n掺杂正面的一部分暴露；d)沉积金属晶种层到掺杂半导体n掺杂正面的暴露部分；且e)通过光诱导的镀覆在金属晶种层沉积金属层。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||