| 发明名称 | 一种提高SSD随机写性能的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高SSD随机写性能的方法，属于硬盘写性能领域，在Nand Flash芯片写控制流程及控制电路中，采取以下措施，使SSD写速度得以很大的提高：(1)将原本独立的SSD的存储介质Nand Flash芯片并行起来，共用Nand Flash芯片的控制逻辑，但分别使用各自的数据线；(2)根据NandFlash芯片的写操作工作原理，将写操作分为寻址、数据写入和ECC检测3个步骤，并组成一个3级流水线；(3)在流水线数据写入级中加入2个Nand Flash芯片的页大小的Buffer，作为写入数据缓冲。本发明和现有技术相比，SSD的写速度得到很大的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN101667449A | 申请公布日期 | 2010.03.10 |
| 申请号 | CN200910019044.8 | 申请日期 | 2009.09.27 |
| 申请人 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 发明人 | 于治楼;李峰;姜凯;梁智豪 |
| 分类号 | G11C7/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种提高SSD随机写性能的方法，包括Nand Flash芯片，其特征在于在Nand Flash芯片写控制流程及控制电路中，采取以下措施，使SSD写速度得以很大的提高：(1)、将原本独立的SSD的存储介质Nand Flash芯片并行起来，共用NandFlash芯片的控制逻辑，但分别使用各自的数据线；(2)、根据Nand Flash芯片的写操作工作原理，将写操作分为寻址、数据写入和ECC检测3个步骤，并组成一个3级流水线；(3)、在流水线数据写入级中加入2个Nand Flash芯片的页大小的Buffer，作为写入数据缓冲。 | ||
| 地址 | 250014山东省济南市历下区山大路224号 | ||