| 发明名称 | 连接端子、使用了连接端子的半导体封装件及半导体封装件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明改善具有置换镀金膜的连接端子的连接可靠性。一种连接端子，具有：导体层；非电解镀镍膜；第一镀钯膜，其是纯度为99质量％以上的置换镀钯膜或非电解镀钯膜；第二镀钯膜，其是纯度为90质量％以上且小于99质量％的非电解镀钯膜；置换镀金膜，其中，非电解镀镍膜、第一镀钯膜、第二镀钯膜及置换镀金膜依次层叠在导体层的一面侧，置换镀金膜位于与导体层相反侧的最表层。 | ||
| 申请公布号 | CN101668880A | 申请公布日期 | 2010.03.10 |
| 申请号 | CN200880013501.6 | 申请日期 | 2008.04.23 |
| 申请人 | 日立化成工业株式会社 | 发明人 | 江尻芳则;畠山修一;有家茂晴;长谷川清 |
| 分类号 | C23C18/52(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I | 主分类号 | C23C18/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱 丹 |
| 主权项 | 1.一种连接端子，其具有：导体层；非电解镀镍膜；第一镀钯膜，其是纯度为99质量％以上的置换镀钯膜或非电解镀钯膜；第二镀钯膜，其是纯度为90质量％以上且小于99质量％的非电解镀钯膜；和置换镀金膜，其中，所述非电解镀镍膜、所述第一镀钯膜、所述第二镀钯膜及所述置换镀金膜依次层叠在所述导体层的一面侧，所述置换镀金膜位于与所述导体层相反侧的最表层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||