| 摘要 |
1. Полупроводниковый фотопреобразователь, содержащий базовую область, выполненную в виде пластины полупроводникового материала p-или n-типа проводимости, диодные структуры с n+-p (p+-n) переходами на рабочей поверхности, на которую падает излучение, и изотипные p-p+ (n-n+) переходы на противоположной поверхности, плоскости p+-n (n+-p) переходов и изотипных переходов параллельны рабочей поверхности, p+-n (n+-p) переходы выполнены в виде отдельных участков, скоммутированных с помощью контактов к легированному слою, расстояние между отдельными участками с p+-n (n+-p) переходами не превышает удвоенной диффузионной длины неосновных носителей заряда в базовой области, отличающийся тем, что фотопреобразователь на рабочей поверхности в базовой области, свободной от p+-n (n+-p) переходов, содержит изолированные области с дополнительными изотипными p-p+ (n-n+) переходами, которые выполнены между каждыми двумя соседними участками с p+-n (n+-p) переходами, плоскости дополнительных изолированных изотипных переходов параллельны рабочей поверхности, над дополнительными изотипными переходами расположены контактные полосы, которые изолированы от дополнительных изотипных переходов пассивирующей окисной пленкой и соединены изолированной от базовой области контактной полосой с контактом к легированному слою диодных структур, а участки базовой области, свободные от контактов, содержат пассивирующую просветляющую пленку. ! 2. Полупроводниковый фотопреобразователь, содержащий базовую область, выполненную в виде пластины полупроводникового материала p-или n-типа проводимости, диодные структуры с n+-p (p+-n) переходами на рабочей поверхности, на которую пад |
