| 发明名称 | 非晶氧化物半导体、半导体器件和薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 一种非晶氧化物半导体，含有按In<sub>x</sub>Ga<sub>y</sub>Zn<sub>z</sub>的原子比从In、Ga和Zn中选择的至少一种元素，其中，所述非晶氧化物半导体的密度M由以下关系式(1)表示：M≥0.94×(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z) (1)其中：0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z≠0。 | ||
| 申请公布号 | CN101669208A | 申请公布日期 | 2010.03.10 |
| 申请号 | CN200880013223.4 | 申请日期 | 2008.04.15 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 薮田久人;远藤文德;加地信幸;林享 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 魏小薇 |
| 主权项 | 1.一种含有按InxGayZnz的原子比从In、Ga和Zn中选择的至少一种元素的非晶氧化物半导体，其中，所述非晶氧化物半导体的密度M由以下关系式(1)表示：M≥0.94×(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z) (1)其中：0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z≠0。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||