有机薄膜晶体管及其制造方法和显示器件

摘要

本发明公开一种有机半导体结构及其制造方法、使用该有机半导体结构的有机薄膜晶体管及其制造方法以及使用该有机薄膜晶体管的显示器件。有机薄膜晶体管包括：形成在基础基板上的氧化物层；设置在氧化物层上的源极，其中源极包括第一源极部分和第二源极部分；设置在氧化物层上的漏极，其中漏极包括第一漏极部分和第二漏极部分，第二漏极部分设置为邻近所述第二源极部分；具有暴露第二源极部分和第二漏极部分的开口的有机层图案；通过开口与所述第二源极部分和第二漏极部分电连接的有机半导体图案，其中有机半导体图案具有导电或绝缘特性；覆盖有机半导体图案的栅绝缘层；以及形成在栅绝缘层的与有机半导体图案相对应的预定部分上的栅极。

主权项

1、一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包括：形成在基础基板上的氧化物层；设置在所述氧化物层上的源极，其中所述源极包括第一源极部分和第二源极部分；设置在所述氧化物层上的漏极，其中所述漏极包括第一漏极部分和第二漏极部分，所述第二漏极部分设置为邻近所述第二源极部分；具有暴露所述第二源极部分和第二漏极部分的开口的有机层图案；通过所述开口与所述第二源极部分和第二漏极部分电连接的有机半导体图案，其中所述有机半导体图案具有导电或绝缘特性；覆盖所述有机半导体图案的栅绝缘层；以及形成在所述栅绝缘层的与所述有机半导体图案相对应的预定部分上的栅极，其中所述有机层图案具有疏水特性，所述有机半导体图案具有亲水特性，所述第二源极部分和第二漏极部分具有临时亲水特性。