| 发明名称 | 具有抗ESD电容器的集成电路布置和相应的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在n沟槽(20)中包含电容器(12)的电路布置(10)。电容器(12)的特定极化确保耗尽区在沟槽(20)中形成，并且电容器(12)具有高的ESD抗性。一种可选存在的辅助掺杂层(26)确保尽管在高的ESD抗性情况下电容器的高面积电容。 | ||
| 申请公布号 | CN101667574A | 申请公布日期 | 2010.03.10 |
| 申请号 | CN200910174780.0 | 申请日期 | 2005.01.31 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份公司 | 发明人 | K·埃斯马克;H·戈斯纳;C·鲁斯;J·施奈德 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李家麟 |
| 主权项 | 1.一种集成电路布置(10c)，包括两个工作电位线(200、202)，其载送在电路布置(10c)工作期间彼此不同的电位，以及包括连接在工作电位线(200、202)之间的电容器(12c)，所述电容器包含以下区域：根据基本掺杂类型掺杂的基本掺杂区(20c)，至少一个掺杂的连接区(22c)，其最大掺杂剂浓度高于基本掺杂区(20c)中的最大掺杂剂浓度，设置在离基本掺杂区一个距离处的电极区(30c)，以及包括设置在电极区(30c)和基本掺杂区(20c)之间的电介质(208、210)，电介质(208、210)在连接区(22)附近的区域(210)中比在中心区域(208)中厚。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||