用于使用多重门极层制造逻辑元件的技术

摘要

本发明阐述多种技术，该些技术在设计及制造用于半导体器件的各种逻辑元件中使用多重多晶硅层。根据本发明的一具体实施例，通过使用多重多晶硅层制造各种晶体管门极即可减小逻辑门单元尺寸及存储器阵列单元尺寸。本发明的使用多重多晶硅层来形成逻辑元件的晶体管门极的技术会在精调诸如氧化物厚度、阈电压、最大容许门极电压等晶体管参数方面上提供额外的自由度。

主权项

1、一种形成一集成电路的逻辑元件的方法，所述逻辑元件包含一适于执行至少一种逻辑操作的电路部分，所述集成电路制成于一衬底上，所述方法包括：在所述衬底上形成一第一栅极；在所述衬底上形成一第二栅极；其中所述第二栅极的一第二部分形成于所述第一栅极的一第一部分上，由此形成一第一重叠栅极区；在形成所述第一和第二栅极之后，在所述衬底中形成一第一掺杂区域，所述第一掺杂区域作为所述电路部分的一源极区；在形成所述第一和第二栅极之后，在所述衬底中形成一第二掺杂区域，所述第二掺杂区域作为所述电路部分的一漏极区；在所述衬底上的所述源极区和所述漏极区之间形成一晶体管有源区，所述晶体管有源区经设计以使电流在所述源极和漏极区之间流过；其中所述第一栅极包含一有源区部分和一接触区域部分，所述有源区部分是对应于所述第一栅极中在所述晶体管有源区上方的部分；以一种形成所述第二栅极的方式来移除所述第二栅极的部分，使得所述第二栅极的至少一部分形成于所述第一栅极的所述有源区部分的整体上方；及以一种使所述逻辑元件执行至少一个逻辑操作的方式形成所述逻辑元件。