发明名称 |
半导体硅晶片的微波杂化和等离子体快速热处理 |
摘要 |
微波能被用作快速热处理半导体硅晶片的辐射源。一方面,由微波调制器材料形成的杂化材料被用来在硅晶片上提供温度均匀性,并且避免由于热应力的发展而导致硅晶片的裂缝或断裂。另一方面,所产生的微波大气压力等离子体被用来直接或间接地加热该硅晶片。 |
申请公布号 |
CN101669191A |
申请公布日期 |
2010.03.10 |
申请号 |
CN200880004818.3 |
申请日期 |
2008.01.23 |
申请人 |
BTU国际公司 |
发明人 |
R·皮拉姆杜;S·库马尔;D·库马尔;黄宗猷;D·A·赛科姆;M·德姆查克;M·K·赫斯特 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
程大军 |
主权项 |
1.一种用于快速热处理基片的杂化微波方法,其包括:将待加热的基片设置在空腔中;提供包括微波调制器材料的杂化材料,该杂化材料根据基片来设置,从而在微波辐射达到至少一部分基片之前调节微波辐射;并且向空腔中引入微波辐射来加热基片,在到达基片前通过杂化材料来调节至少一部分微波辐射,其中杂化材料使得热更均匀地分布到基片上。 |
地址 |
美国马萨诸塞 |