| 发明名称 | 制造相变存储器器件的等离子体处理方法以及由此制造的存储器器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造相变存储器器件的等离子体处理方法以及由此制造的存储器器件。相变存储器器件可以通过以下步骤来制造：在衬底上形成第一电极以及在该第一电极上形成硫族化物材料。对硫族化物材料充分地进行等离子体处理，以对整个该硫族化物材料引入等离子体物质。第二电极形成在该硫族化物材料上。对相关器件也进行了描述。 | ||
| 申请公布号 | CN101667622A | 申请公布日期 | 2010.03.10 |
| 申请号 | CN200910205722.X | 申请日期 | 2009.08.31 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金荣国;安东浩;朴美林 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种制造相变存储器器件的方法，包括：在衬底上形成第一电极；在所述第一电极上形成硫族化物材料；对所述硫族化物材料充分地进行等离子体处理，以对整个所述硫族化物材料引入等离子体物质；在所述硫族化物材料上形成第二电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||