| 发明名称 | 降低铜化学机械抛光粗糙度的抛光液 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种降低铜化学机械抛光粗糙度的抛光液，由研磨颗粒、含氮聚合物、螯合剂、表面活性剂、腐蚀抑制剂、氧化剂及去离子水混合后再用KOH或HNO<sub>3</sub>调节pH值至1.0～7.0，各原料的质量百分比为：研磨颗粒0.1％～30％、含氮聚合物0.1％～10％、螯合剂0.1％～3％、表面活性剂0.1％～10％、腐蚀抑制剂0.001％～2％、氧化剂0.1％～20％、去离子水小于或等于90％。对铜化学机械抛光损伤小，明显降低抛光后铜表面粗糙度(8～18nm)、提高表面平整度；抛光后清洗方便。 | ||
| 申请公布号 | CN101665665A | 申请公布日期 | 2010.03.10 |
| 申请号 | CN200910187633.7 | 申请日期 | 2009.09.27 |
| 申请人 | 大连三达奥克化学股份有限公司 | 发明人 | 侯军;吕冬;王晓风;程宝君;吴聪 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01)I;C23F3/04(2006.01)I | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 大连非凡专利事务所 | 代理人 | 闪红霞 |
| 主权项 | 1.一种降低铜化学机械抛光粗糙度的抛光液，其特征在于：由研磨颗粒、含氮聚合物、螯合剂、表面活性剂、腐蚀抑制剂、氧化剂及去离子水混合后再用KOH或HNO3调节pH值至1.0～7.0，各原料的质量百分比为：研磨颗粒 0.1％～30％含氮聚合物 0.1％～10％螯合剂 0.1％～3％表面活性剂 0.1％～10％腐蚀抑制剂 0.001％～2％氧化剂 0.1％～20％去离子水 小于或等于90％。 | ||
| 地址 | 116023辽宁省大连市高新园区学子街99号 | ||