| 发明名称 | 反光CMOS图像传感器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种图像传感器(100)，至少包括：CMOS型光电二极管(112)和晶体管(114)，其制造于半导体层(110)中，所述半导体层(110)的厚度为大约1μm至1.5μm；电介质层(116)，在所述电介质层(116)中制造电互连层(122a，122b)，其彼此电连接和/或与CMOS光电二极管和/或晶体管电连接，所述电介质层被布置为与半导体层的第一面抵靠，所述第一面与半导体层的第二面相对，由传感器从外部接收的光将通过半导体层的第二面进入；反光装置(122b)，布置在电介质层中，与光电二极管相对，并能够朝着光电二极管反射至少一部分由传感器接收的光。 | ||
| 申请公布号 | CN101667584A | 申请公布日期 | 2010.03.10 |
| 申请号 | CN200910008799.8 | 申请日期 | 2009.09.04 |
| 申请人 | 法国原子能委员会 | 发明人 | 皮埃尔·吉东;伊冯·卡佐 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 吴贵明 |
| 主权项 | 1.一种图像传感器(100，200，300，400，500)，所述图像传感器至少包括：-CMOS型光电二极管(112)和晶体管(114)，其制造在包含至少一种半导体的层(110)中，所述层的厚度为大约1μm至1.5μm，-包含至少一种电介质的层(116)，在所述层中制造电互连层(122a，122b)，所述电互连层彼此电连接和/或与所述CMOS光电二极管(112)和/或所述晶体管(114)电连接，所述电介质层(116)被布置为与半导体层(110)的第一面抵靠，所述第一面与所述半导体层(110)的第二面相对，由传感器(100-500)从外部接收的光将通过所述半导体层(110)的第二面进入，-反光装置(122b，130，132，136)，布置在所述电介质层(116)中，例如，所述反光装置与所述光电二极管(112)相对，并且所述反光装置能够朝着所述光电二极管(112)反射至少一部分由所述传感器(100-500)接收的光。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||