发明名称 |
一种浮栅为SONOS结构的闪存 |
摘要 |
本发明提供一种浮栅为SONOS结构的闪存,包括:源极和漏极,与衬底相连;浮栅氧化膜,位于衬底之上;选择栅,形成于浮栅氧化膜之上,且位于源极和漏极之间;第一浮栅,形成于浮栅氧化膜之上,且位于源极和选择栅之间,第一浮栅为SONOS结构;第二浮栅,形成于浮栅氧化膜之上,且位于漏极和选择栅之间,第二浮栅为SONOS结构;第一控制栅氧化膜和第二控制栅氧化膜,分别形成于第一浮栅和第二浮栅之上;第一控制栅和第二控制栅,分别位于第一控制栅氧化膜和第二控制栅氧化膜之上。本发明提供的闪存的浮栅采用SONOS结构,相比于多晶硅材料,增加了闪存面积的可再缩的能力。 |
申请公布号 |
CN101667582A |
申请公布日期 |
2010.03.10 |
申请号 |
CN200910196452.0 |
申请日期 |
2009.09.25 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
张博;孔蔚然 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) |
代理人 |
郑 玮 |
主权项 |
1.一种浮栅为SONOS结构的闪存,其特征在于包括:衬底和形成于衬底内的源极区和漏极区;分别从所述源极区和漏极区引出的源极和漏极;浮栅氧化膜,覆盖于所述衬底之上、源极和漏极之间的区域;选择栅,形成于所述浮栅氧化膜之上,且位于所述源极和所述漏极之间;第一浮栅,形成于所述浮栅氧化膜之上,且位于所述源极和所述选择栅之间,所述第一浮栅为SONOS结构;第二浮栅,形成于所述浮栅氧化膜之上,且位于所述漏极和所述选择栅之间,所述第二浮栅为SONOS结构;第一控制栅氧化膜和第二控制栅氧化膜,分别形成于所述第一浮栅和所述第二浮栅之上;第一控制栅和第二控制栅,分别位于所述第一控制栅氧化膜和所述第二控制栅氧化膜之上。 |
地址 |
201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 |