| 发明名称 | 薄膜场效应晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜场效应晶体管及其制备方法。更具体而言，本发明涉及一种包括作为源极和漏极的含有Si、Mo和W中一种以上元素的氧化锌(ZnO系列)电极的薄膜场效应晶体管及其制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101669210A | 申请公布日期 | 2010.03.10 |
| 申请号 | CN200880013494.X | 申请日期 | 2008.04.25 |
| 申请人 | LG化学株式会社 | 发明人 | 李政炯 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄丽娟;朱 梅 |
| 主权项 | 1、一种制备薄膜场效应晶体管的方法，该方法包括如下步骤：1)在基板上形成栅极；2)在所述基板和栅极上形成绝缘层；3)在所述绝缘层上形成半导体层；和4)使用含有Si、Mo和W中的一种以上元素的氧化锌电极材料形成源极和漏极，从而与所述半导体层连接。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||