| 发明名称 | 混合离子导体 | ||
| 摘要 | 本发明的混合离子导体包括Ba、Ce和In的钙钛矿氧化物。该钙钛矿氧化物是表示为Ba(Ce<sub>1-x</sub>In<sub>x</sub>)<sub>p</sub>O<sub>3</sub>的晶态化合物，其中x为0.4至0.6，而p为1至1.02。本发明的电化学器件包括作为固体电解质的混合离子导体。在该电化学器件中，在固体电解质的厚度方向上吸引由氧化还原反应产生的电子。利用该结构，本发明可提供具有高电导率和高可靠性的混合离子导体，以及使用该混合离子导体的电化学器件。 | ||
| 申请公布号 | CN100593825C | 申请公布日期 | 2010.03.10 |
| 申请号 | CN200480005585.0 | 申请日期 | 2004.08.30 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 谷口升 |
| 分类号 | H01B1/08(2006.01)I;H01M8/02(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I;C01G23/00(2006.01)I;C01G25/00(2006.01)I;G01N27/409(2006.01)I | 主分类号 | H01B1/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王 英 |
| 主权项 | 1、一种混合离子导体，包含：Ba、Ce和In的钙钛矿氧化物，其中该钙钛矿氧化物是表示为Ba(Ce1-xInx)pO3的晶态化合物，而x为0.4至0.6，且p为1至1.02，并且所述钙钛矿氧化物是单相多晶。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||