一种电子型高温超导体镧铈铜氧薄膜的制备方法

摘要

本发明提供的制备电子型高温超导体LCCO薄膜的方法，使用脉冲激光沉积设备，包括以下步骤：1.按照La_2-xCe_xCuO₄，其中0.08≤x≤0.16配比，采用固相反应法制成LCCO陶瓷靶材，安装到反应室的靶座上；2.选择衬底：选择SrTiO₃、MgO或LaAlO₃，清洗干净放入反应室内加热台上，关闭反应室；3.将反应室抽真空至背底真空优于2.0×10^-4Pa；4.通过加热器将衬底加热至温度为675-800℃；5.首先向反应室内通入反应气体；6.然后对LCCO陶瓷靶材表面进行清理；7.将LCCO靶材加热至升华，开始在衬底上制备LCCO薄膜；8.反应结束后，停止通入反应气体，抽真空至真空度优于2×10^-4Pa，然后将制备有LCCO薄膜的衬底降温到退火温度，进行退火，最后将制备有LCCO薄膜的衬底自然冷却至室温。

主权项

1.一种制备电子型高温超导体La2-xCexCuO4薄膜的方法，使用脉冲激光沉积设备；其特征在于，包括以下步骤：1).按照La2-xCexCuO4配比称料，其中0.08≤x≤0.16；采用固相反应法制成La2-xCexCuO4陶瓷靶材，安装到反应室的靶座上；2).选择衬底：衬底为MgO或LaAlO3，清洗干净放入反应室内加热台上备用，关闭反应室；3).将反应室内抽真空至背底真空优于2.0×10-4Pa；4).通过加热器将衬底加热至温度为675-800℃；5).首先向反应室内通入氧气，调整反应室内的气压为10-20Pa；6).然后对La2-xCexCuO4陶瓷靶材表面进行清理；7).调节靶基距为3-6cm，激光脉冲频率为1-6Hz，激光能量为180-240mJ，开始在衬底上制备La2-xCexCuO4，沉积La2-xCexCuO4薄膜时间为5-20分钟；8).反应结束后，停止通入反应气体，并且将反应室内抽真空至真空度优于2×10-4Pa，然后将步骤7)制备的La2-xCexCuO4薄膜样品降温至450-550℃，保持10-20分钟进行退火；之后自然冷却至室温，得到所述的电子型高温超导体La2-xCexCuO4薄膜。