半导体制程

摘要

本发明揭示一种半导体制程。首先，提供一基底，基底上已形成一堆叠结构及位于堆叠结构上的罩幕层。然后，形成氧化物层在罩幕层及至少部份堆叠结构的表面。接着，在堆叠结构的侧壁形成第一间隙壁。之后，在第一间隙壁的侧壁形成第二间隙壁。继而，进行第一蚀刻制程，以移除罩幕层的表面的氧化物层。然后，进行第二蚀刻制程，以同时移除罩幕层及第二间隙壁。本发明的半导体制程，利用双层间隙壁保护堆叠结构，可以大幅提升元件的可靠性及效能。

主权项

1.一种半导体制程，包括：提供一基底，该基底上已形成一堆叠结构及位于该堆叠结构上的一罩幕层；形成一氧化物层在该罩幕层及至少部份该堆叠结构的表面；在该堆叠结构的侧壁形成一第一间隙壁；在该第一间隙壁的侧壁形成一第二间隙壁；进行一第一蚀刻制程，以移除该罩幕层的表面的该氧化物层；以及进行一第二蚀刻制程，以同时移除该罩幕层及该第二间隙壁。