| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：光直接触发晶闸管(11～1n)，其被光门极信号(L1～Ln)所触发；第一光纤(21a～2na)，其与上述光直接触发晶闸管(11～1n)相连接，用于传输上述光门极信号(L1～Ln)；第二光纤(21b～2nb)，其用于延长上述第一光纤(21a～2na)；以及光纤间中继单元(51～5n)，其连接上述第一光纤(21a～2na)和上述第二光纤(21b～2nb)，将从上述第二光纤(21b～2nb)输出的上述光门极信号(L1～Ln)输入到上述第一光纤(21a～2na)。 | ||
| 申请公布号 | CN101669207A | 申请公布日期 | 2010.03.10 |
| 申请号 | CN200780052779.X | 申请日期 | 2007.05.24 |
| 申请人 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 发明人 | 藤本贵文 |
| 分类号 | H01L29/74(2006.01)I;H02M1/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/74(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;陈立航 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具备：光直接触发晶闸管，其被光门极信号所触发；第一光纤，其与上述光直接触发晶闸管相连接，用于传输上述光门极信号；第二光纤，其用于延长上述第一光纤；以及光纤间中继单元，其连接上述第一光纤和上述第二光纤，并将从上述第二光纤输出的上述光门极信号输入到上述第一光纤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||