| 发明名称 | 基于高介电常数材料的抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于高介电常数材料的抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路，属于电子技术领域。本发明抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，其特征在于，在和所述NMOS器件相邻的沟槽中，沟槽填充材料和衬底材料之间存在一高介电常数的界面材料。所述界面材料的介电常数优选大于3.9。所述界面材料可选自氧化镍、氧化锆、氧化铅、氧化铝、氧化氮、氧化澜、氧化铪、和氧化钽中的一种或多种。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业中。 | ||
| 申请公布号 | CN101667577A | 申请公布日期 | 2010.03.10 |
| 申请号 | CN200910093412.3 | 申请日期 | 2009.09.30 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 刘文;黄如 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 俞达成 |
| 主权项 | 1.一种抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路，所述集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，其特征在于，在和所述NMOS器件相邻的沟槽中，沟槽填充材料和衬底材料之间存在一高介电常数的界面材料。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||