| 发明名称 |
Vapour trap for atomic layer deposition (ALD) |
| 摘要 |
Vapor deposition systems including a trap for gaseous species. The surface area of the trap is parallel to flow of gaseous species through the trap. |
| 申请公布号 |
EP2161352(A1) |
申请公布日期 |
2010.03.10 |
| 申请号 |
EP20090171283 |
申请日期 |
2005.06.27 |
| 申请人 |
CAMBRIDGE NANOTECH INC. |
发明人 |
MONSMA, DOUWE;BECKER, JILL |
| 分类号 |
C23C16/455;B01D53/00;B01D53/04;C23C16/44 |
主分类号 |
C23C16/455 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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