发明名称 多芯片堆叠结构及其制法
摘要 一种多芯片堆叠结构及其制法,提供具有相对第一及第二表面的芯片承载件,以将一第一芯片及第二芯片接置于该芯片承载件第一表面,并通过焊线电性连接至该芯片承载件,再将至少一第三芯片间隔一粘着层而堆叠于该第一芯片上,令该第三芯片以错位方式与该第一芯片叠接,而使第二芯片位于第三芯片及芯片承载件之间,接着通过焊线电性连接该第三芯片及芯片承载件,从而可节省芯片承载件使用空间,以利于整体结构的小型化,此外,也可在第三芯片上持续以错位方式堆叠更多芯片,进而提升电性功能。
申请公布号 CN101667545A 申请公布日期 2010.03.10
申请号 CN200810214349.X 申请日期 2008.09.02
申请人 矽品精密工业股份有限公司 发明人 刘正仁;黄荣彬;张翊峰;张锦煌
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 北京戈程知识产权代理有限公司 代理人 程 伟;王锦阳
主权项 1、一种多芯片堆叠结构的制法,其特征在于,包括:提供具有相对第一及第二表面的芯片承载件,以将一第一芯片及第二芯片接置于该芯片承载件第一表面,并通过焊线电性连接至该芯片承载件;将至少一第三芯片间隔一粘着层而堆叠于该第一芯片上,令该第三芯片以错位方式与该第一芯片叠接,而使第二芯片位于第三芯片及芯片承载件之间;以及利用焊线电性连接该第三芯片及芯片承载件。
地址 中国台湾台中县