半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法

摘要

一种半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法，主要采用了金刚石刀具在氮化铝陶瓷片加工V型凹槽至规定深度，再将预留底面减薄的方法制作出符合要求的倾斜端面。该方法简单易实施，成本低、加工效率高、一致性好，用该种技术制作的氮化铝陶瓷片进行倾斜端面与平面实现电极互联后最薄可制作出厚度小于100μm的微型载体，可应用于器件或组件的高密度封装，并进而采用可插拔接口实现电驱动或信息传输。

主权项

1、半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：①按照设计规范，将氮化铝陶瓷片加工成长方体陶瓷片；②根据设定的V型槽深度，预留出研磨底面(1)厚度为200-400μm之间；③采用V型刀具，按设计间距在氮化铝陶瓷片加工V型凹槽至规定深度；④将V型凹槽氮化铝陶瓷片表面金属化，并进行图形加工；⑤从V型凹槽底部进行图形分割；⑥将氮化铝陶瓷片研磨底面(1)减薄，至或超过V型凹槽底端。